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BA219
Price:
1,00 €
Tasse incluse
Diodo silicio S, 100V, 0,1A, --4ns
Caratteristiche :
- VR : 100 V
- VRM : 100 V
- IF : 0,1 A
- VF max : 0,65 V
- C typ : 3 pF
- IR max : 0,5 µA
- Tj : 200 °C
Equivalenti :
BAW 47, BAX 96, 1N4148, 1SS115
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RiferimentoBA219
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In magazzino10 Articoli
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CondizioneNuovo
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