2SK4145

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Metal oxide N-channel FET, enhancement type with diode S-L, 60V, 84A, 84W, RDS(on) --10mOhm

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Caratteristiche :

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V) VDSS 60 V
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V) VGSS ±20 V
Drain Current (DC) (TC = 25°C) ID(DC) ±84 A
Drain Current (pulse) Note1 ID(pulse) ±215 A
Total Power Dissipation (TC = 25°C) PT1 84 W
Total Power Dissipation (TA = 25°C) PT2 1.5 W
Channel Temperature Tch 150 °C
Storage Temperature Tstg −55 to +150 °C
Single Avalanche Current Note2 IAS 32 A
Single Avalanche Energy Note2 EAS 102 mJ

K4145 Datasheet - Vdss=60V, N-Ch Power MOSFET - NEC | Nec, Power

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