- Material of Transistor: Si
- Polarity: NPN
- Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.3 W
- Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 50 V
- Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 45 V
- Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 V
- Maximum Collector Current |Ic max|: 0.1 A
- Max. Operating Junction Temperature (Tj): 125 ?C
- Transition Frequency (ft): 150 MHz
- Collector Capacitance (Cc): 5 pF
- Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 200
- Noise Figure, dB: -
- Package: TO226
Equivalenti :
BC 167, BC 182, BC 547
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