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2SK1162
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Metal oxide N-channel FET, enhancement type with diode V-MOS, 450V, 10A, 100W, --0,8Ohm(5A)
Metal oxide N-channel FET, enhancement type with diode V-MOS, 450V, 10A, 100W, --0,8Ohm(5A)
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Riferimento2SK1162
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